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APT1001RBN產品參數

品牌:Microsemi Corporation

描述:MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD

詳細描述:通孔 N 溝道 1000V 11A(Tc) 310W(Tc) TO-247AD

制造商:Microsemi Corporation

系列:POWER MOS IV?

包裝:管件

零件狀態:停產

FET 類型:N 溝道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):1000V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1 歐姆 @ 5.5A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):130nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2950pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):310W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應商器件封裝:TO-247AD

封裝/外殼:TO-247-3

標準包裝:30

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