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HGTP2N120CN產品參數

品牌:ON Semiconductor

描述:IGBT 1200V 13A 104W TO220AB

詳細描述:IGBT NPT 1200V 13A 104W Through Hole TO-220AB

制造商:ON Semiconductor

系列:-

包裝:管件

零件狀態:停產

IGBT 類型:NPT

電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V

電流 - 集電極(Ic)(最大值):13A

脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A

不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,2.6A

功率 - 最大值:104W

開關能量:96μJ(開),355μJ(關)

輸入類型:標準

柵極電荷:30nC

25°C 時 Td(開/關)值:25ns/205ns

測試條件:960V,2.6A,51 歐姆,15V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3

供應商器件封裝:TO-220AB

標準包裝:400

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